特許

J-GLOBAL ID：200903000828320250

半導体集積回路装置

発明者： 幅崎 唯之
出願人/特許権者： エヌイーシーマイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-152181
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353320
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】デジタル回路領域からアナログ回路領域に基板表層部を通過しようとするノイズを阻止し、かつ電源ラインからの静電サージや電源電圧のリップル等の影響を回避して両領域間を通過する基板ノイズを有効に遮断することができる分離領域を有する半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】アナログ回路領域10とデジタル回路領域20との間の分離領域30は、高不純物濃度のP+ 型の不純物領域4と、不純物領域4から離間して間にP- 型基板領域1の部分を有して形成されたN型の拡散層2とを具備して構成されている。

請求項（抜粋）：

低不純物濃度の一導電型の基板領域と、前記基板領域の主面に設けられた第1及び第2の回路領域と、前記第1の回路領域と第2の回路領域との間に設けられた分離領域とを具備した半導体集積回路装置において、前記分離領域は、前記基板領域よりも高不純物濃度の一導電型の不純物領域と、前記不純物領域から離間して間に前記基板領域の部分を有して形成された逆導電型の拡散層とを有して構成されたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/761 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 311 ,  H01L 27/08 331

FI (6件)：

H01L 27/06 311 B ,  H01L 27/08 331 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 F ,  H01L 21/76 J ,  H01L 21/76 S

Fターム (17件)：

5F032AB02 ,  5F032AC04 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F038BH09 ,  5F038BH19 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BE04 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048BH02 ,  5F048BH05