スパッタリング・ターゲットの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阿仁屋節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118952
公開番号（公開出願番号）：特開平5-311423
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年11月22日
要約：

【要約】【目的】複数相の金属間化合物で構成されるTe合金を原料として、高密度で均一な光記録膜形成用のスパッタリング・ターゲットを製造すること。【構成】 Te合金を構成する各相の内で融点が一番高い最高温相の融点よりも5〜20°Cだけ低い温度範囲で、かつ、前記最高温相以外のすべての相が溶融する温度を焼結温度として、前記Te合金を焼結させる(ステップ14)。

請求項（抜粋）：

複数相の金属間化合物で構成されるTe合金を加圧焼結させることによって光記録膜形成用のスパッタリング・ターゲットとなる焼結体を形成するスパッタリング・ターゲットの製造方法であって、前記Te合金を構成する各相の内で融点が一番高い最高温相の融点よりも5〜20°Cだけ低い温度範囲で、かつ、前記最高温相以外のすべての相が溶融する温度を焼結温度として、前記Te合金を焼結させることを特徴とするスパッタリング・ターゲットの製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , B22F 3/14 , C22C 1/05

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-001146
特開昭62-114132
特開平2-122027

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