特許

J-GLOBAL ID：200903000836583596

窒化珪素回路基板

発明者： 田中 智雄 ,  高木 健太 ,  伊藤 正也
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 足立 勉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-267041
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094016
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 窒化珪素回路基板についてSiチップ搭載時の熱処理や実稼働時の熱履歴に耐え得るようにする。【解決手段】 窒化珪素回路基板は、窒化珪素基板の一方の面に金属回路板、もう一方の面に金属放熱板を接合してなる。金属回路板がCuを主成分とする金属からなる場合には、接合されている金属回路板及び金属放熱板を除去したときの窒化珪素基板の強度が550MPa以上であると、冷熱サイクル衝撃試験や熱サイクル加速試験において優れた結果が得られる。

請求項（抜粋）：

窒化珪素基板の一方の面に金属回路板を接合してなるか、又は一方の面に金属回路板、もう一方の面に金属放熱板を接合してなる窒化珪素回路基板において、上記金属回路板がCuを主成分とする金属からなり、接合されている上記金属回路板又は上記金属回路板と上記金属放熱板の両方を除去したときの窒化珪素基板の強度(以下、接合後強度という)が550MPa以上であることを特徴とする窒化珪素回路基板。

IPC (4件)：

H01L 23/15 ,  C04B 35/584 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14

FI (4件)：

H01L 23/14 C ,  C04B 35/58 102 Y ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/14 M

Fターム (11件)：

4G001BA06 ,  4G001BA11 ,  4G001BA32 ,  4G001BB06 ,  4G001BB11 ,  4G001BB32 ,  4G001BC71 ,  4G001BD04 ,  4G001BD14 ,  4G001BD38 ,  4G001BE32