特許

J-GLOBAL ID：200903000837840835

メモリカード

発明者： 庭野 浩之
出願人/特許権者： 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 ,  富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-103522
公開番号（公開出願番号）：特開平7-311708
出願日： 1994年05月18日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 大容量のデータを短時間でアクセスすることができる不揮発性のメモリカードを提供することを目的とする。【構成】 外部から供給される連続アドレス(A0〜A9)に応じて書き込みデータ(D0〜D7)を記憶するメモリカードであって、外部から供給されるアドレス(A0〜A9)に応じてイネーブル信号(CE0〜CE3)、メモリブロック選択信号(A6〜A9)およびブロック内アドレス信号(A0〜A3)を生成するアドレスデコーダ(2)と、ブロック内アドレス信号が示すアドレスに書き込みデータを一時的に蓄えるバッファ(rb0〜rb3)と、所定容量のデータを記憶することができる複数のメモリブロックを有する不揮発性のメモリ(rm0〜rm3)とを含む複数のメモリデバイス(DV0〜DV3)とを有し、書き込みデータはイネーブル信号に応じて順番に選択される複数のメモリデバイス内のバッファの中の1つに蓄えられ、メモリデバイスはバッファに蓄えられた所定容量のデータをメモリブロック選択信号に応じたメモリブロックに転送する。

請求項（抜粋）：

外部から供給される連続アドレス(A0〜A9)と書き込みデータ(D0〜D7)に応じて該書き込みデータを記憶するメモリカードであって、外部から供給されるアドレス(A0〜A9)に応じてイネーブル信号(CE0〜CE3)、メモリブロック選択信号(A6〜A9)およびブロック内アドレス信号(A0〜A3)を生成するアドレスデコーダ(2)と、各々が、前記イネーブル信号に応じて前記ブロック内アドレス信号が示すアドレスに書き込みデータを一時的に蓄えるバッファ(rb0〜rb3)と、所定容量のデータを記憶することができる複数のメモリブロックを有する不揮発性のメモリ(rm0〜rm3)とを含む複数のメモリデバイス(DV0〜DV3)とを有し、書き込みデータは前記イネーブル信号に応じて順番に選択される前記複数のメモリデバイス内のバッファの中の1つのバッファに蓄えられ、前記メモリデバイスは前記バッファに蓄えられた所定容量のデータを前記メモリブロック選択信号に応じた前記メモリ内のメモリブロックに転送するメモリカード。

IPC (2件)：

G06F 12/06 523 ,  G11C 16/06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-288384
  
• 特開平1-286056
  
• 特開昭63-048688
  
• メモリカード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-111632   出願人：株式会社リコー