特許

J-GLOBAL ID：200903000838918846

半導体超微粒子及びそれを含有してなる薄膜状成形体

発明者： 大津 猛 ,  齋藤 康子
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-003269
公開番号（公開出願番号）：特開2003-286292
出願日： 2003年01月09日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：

【要約】【課題】 良好な溶媒への溶解性、ポリマー中での分散性、優れた塗膜性、及び該半導体結晶の量子効果による制御された吸発光特性を兼ね備えた半導体超微粒子を提供する。【解決手段】 ポリアルキレングリコール残基が下記一般式(1)で表される官能基中の酸素原子を介して半導体結晶表面に結合されてなる半導体超微粒子。(一般式(1)中、R1及びR2は、それぞれ水素原子、水酸基、置換基を有していてもよい炭素数8以下のアルキル基、アリール基、アルコキシル基及びトリアルキルシリル基、並びにハロゲン原子から選ばれるいずれかを表し、R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。)

請求項（抜粋）：

ポリアルキレングリコール残基が下記一般式(1)で表される官能基中の酸素原子を介して半導体結晶表面に結合されてなる半導体超微粒子。【化1】(一般式(1)中、R1及びR2は、それぞれ水素原子、水酸基、置換基を有していてもよい炭素数8以下のアルキル基、アリール基、アルコキシル基及びトリアルキルシリル基、並びにハロゲン原子から選ばれるいずれかを表し、R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。)

IPC (9件)：

C07F 9/32 ,  C01G 9/02 ,  C01G 9/08 ,  C01G 11/00 ,  C01G 11/02 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/08 ZNM ,  H01L 33/00 ,  H05B 33/14

FI (9件)：

C07F 9/32 ,  C01G 9/02 A ,  C01G 9/08 ,  C01G 11/00 ,  C01G 11/02 ,  C09K 11/00 A ,  C09K 11/08 ZNM G ,  H01L 33/00 D ,  H05B 33/14 B

Fターム (23件)：

3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4G047AA02 ,  4G047AB02 ,  4G047AC03 ,  4G047AD03 ,  4G047BA01 ,  4G047BB01 ,  4G047BC02 ,  4G047BD03 ,  4H001CA02 ,  4H001CC13 ,  4H001XA08 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA34 ,  4H001XA40 ,  4H001XA48 ,  4H050AA05 ,  4H050AB91 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41