特許
J-GLOBAL ID：200903000839022366
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-028450
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224215
出願日： 1993年01月26日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【構成】 半導体基板11に素子分離絶縁膜13を形成し、不純物を含む多結晶シリコン膜15を形成し、多結晶シリコン膜をエッチングしてチャネル領域17を開口し、全面に絶縁膜19を形成し、熱処理を行い多結晶シリコン膜中の不純物を半導体基板に拡散させて高濃度領域21を形成し、チャネルドープを行いチャネル領域にチャネルドープ領域25を形成する工程と、塗布膜27を形成し、絶縁膜の一部領域が露出するまで塗布膜をエッチングする工程と、塗布膜をエッチングマスクとして絶縁膜をエッチングし、開口部29を形成し、イオン注入により開口部の半導体基板に低濃度領域23を形成する工程とを有する。【効果】 絶縁膜の膜厚を調整することにより、低濃度領域の長さを制御することが可能となり、低濃度領域の長さのばらつきを小さくすることができ、特性ばらつきのないMOSトランジスタを製造することが可能となる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板の素子分離領域に素子分離絶縁膜を形成し、全面に第2導電型の不純物を含む多結晶シリコン膜を形成し、多結晶シリコン膜をエッチングしてチャネル領域を開口し、全面に絶縁膜を形成し、熱処理を行い多結晶シリコン膜中の不純物を半導体基板に拡散させて第2導電型の高濃度領域を形成し、第1導電型の不純物をチャネル領域に導入するチャネルドープを行いチャネル領域にチャネルドープ領域を形成する工程と、全面に塗布膜を形成し、絶縁膜の一部領域が露出するまで塗布膜をエッチングする工程と、塗布膜をエッチングマスクとして絶縁膜をエッチングし、多結晶シリコン膜の側壁に開口部を形成し、イオン注入を行うことにより開口部内の半導体基板に第2導電型の低濃度領域を形成する工程と、チャネル領域の塗布膜と絶縁膜とを除去し、ゲート絶縁膜を形成し、さらにゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
