特許

J-GLOBAL ID：200903000839784835

部分窒化チタン酸化物薄膜の製膜方法

発明者： 村松 淳司 ,  中村 貴宏 ,  佐藤 修彰 ,  松原 英一郎
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (4件)： 重信 和男 ,  清水 英雄 ,  高木 祐一 ,  中野 佳直
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-249991
公開番号（公開出願番号）：特開2007-063059
出願日： 2005年08月30日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】 PLD法による部分窒化チタン酸化物薄膜の作製を行うこと。【解決手段】 少なくとも窒素元素を含む一定ガス圧力の雰囲気中で、レーザー光をパルス状にチタン酸化物焼結物に照射し、該チタン酸化物と対抗する位置に配した基板上に、部分窒化チタン酸化物薄膜を製膜する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも窒素元素を含むガスの一定圧力の雰囲気中で、レーザー光をパルス状にチタン酸化物に照射し、該チタン酸化物焼結物と対抗する位置に配した基板上に、窒化チタン酸化物薄膜を製膜することを特徴とする部分窒化チタン酸化物薄膜の製膜方法。

IPC (7件)：

C01G 23/00 ,  B01J 35/02 ,  B01J 27/24 ,  B01J 37/02 ,  B01J 37/34 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/28

FI (7件)：

C01G23/00 Z ,  B01J35/02 J ,  B01J27/24 Z ,  B01J37/02 301P ,  B01J37/34 ,  C23C14/08 E ,  C23C14/28

Fターム (36件)：

4G047CA01 ,  4G047CB04 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G169AA08 ,  4G169BA04A ,  4G169BA04B ,  4G169BA04C ,  4G169BA21C ,  4G169BA48A ,  4G169BB01C ,  4G169BB20A ,  4G169BB20B ,  4G169BC50A ,  4G169BC50B ,  4G169BD01C ,  4G169BD02A ,  4G169BD02B ,  4G169BD06A ,  4G169BD06B ,  4G169BD06C ,  4G169BE18C ,  4G169DA05 ,  4G169EA08 ,  4G169FA01 ,  4G169FB01 ,  4G169FB58 ,  4G169FC02 ,  4G169FC04 ,  4G169FC06 ,  4G169HA02 ,  4G169HB01 ,  4G169HC02 ,  4G169HD12 ,  4K029BA48 ,  4K029DB20