特許
J-GLOBAL ID：200903000841106003
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-280891
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198564
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 熱処理時の揮発成分の再付着を防止し、信頼性の高い装置が得られる、また、ボンディングパッド部の配線材料に抵抗成分が生じず、導通性の劣化をもたらさない半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 基板1上にポリアミド膜3を形成し、このポリアミド膜を加熱焼成してポリイミド膜3′を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、?@ポリアミド膜の溶剤除去のための加熱工程及びポリアミド膜を加熱してポリイミド化する焼成工程のいずれか一方の工程または双方の工程を減圧下で行う。?Aポリアミド膜を加熱してポリイミド化する焼成工程を、不活性ガス雰囲気中で行う。?Bポリアミド膜を加熱してポリイミド化する焼成工程を、弱還元性ガス雰囲気中で行う。
請求項（抜粋）：
基板上にポリアミド膜を形成し、このポリアミド膜を加熱してポリイミド膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、ポリアミド膜の溶剤除去のための加熱工程及びポリアミド膜を加熱してポリイミド化する焼成工程のいずれか一方の工程または双方の工程を減圧下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/312
, C09D179/08 PLX
, H01L 21/60 301
