特許
J-GLOBAL ID：200903000843607867
半導体圧力センサの製造装置及び製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-057972
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256566
出願日： 1997年03月12日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、簡単な工程で、小形化された半導体圧力センサを製造することを目的とする。【解決手段】 ワーク12は、半導体ウェハ1の一方の面に保護シート1aを接合して構成され、このワーク12に対し、ダイヤフラム加工具を上方から回転しつつ降下し、半導体ウェハ1の薄膜部2aを底部に残存させて凹状部2bを形成するように切削加工する。次に、そのワーク12に対し、トレパニング加工具を前記凹状部2bが略中央に位置して残るように、加工ツール34aにより環状に穴あけ加工し、チップ化して圧力センサを製造する。このように、ダイヤフラム加工具及びトレパニング加工具のともに同じ種類の穴あけ工具で製造するので、工程の連続化が可能となり、またセンサは外形が円形状となるから小形化が図れる。
請求項（抜粋）：
一方の面に保護シートが貼着された半導体ウェハを、保護シート側を下方にして載置するステージと、このステージに載置された半導体ウェハの上方から加工ツールと共に降下させ、前記半導体ウェハに凹状部を切削加工するダイヤフラム加工具と、このダイヤフラム加工具で切削加工された前記半導体ウェハを所定形状のチップに分割する際、前記凹状部が略中央に位置するように、半導体ウェハをチップに分割するトレパニング加工具とを具備することを特徴とする半導体圧力センサの製造装置。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, H01L 21/304 321
H01L 29/84 Z
, H01L 21/304 321 S
