特許

J-GLOBAL ID：200903000843673150

磁壁移動型メモリセル材料およびその作製方法

発明者： 大嶋 則和 ,  沼田 秀昭 ,  深見 俊輔 ,  鈴木 哲広
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (3件)： 机 昌彦 ,  下坂 直樹 ,  谷澤 靖久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-067863
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227431
出願日： 2007年03月16日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】メモリセル中に形成された磁壁を移動させ記録状態消去状態を実現する磁壁移動型メモリセルに於いて、情報記録層となる磁性体の磁化を低減させ記録電流、記録磁界の低減をはかることにより、高速・低電流で動作し、高密度なMRAM実現可能であることを提供する。【解決手段】磁壁を生成する磁性層に非金属元素を添加する、あるいは磁性層と非金属元素を周期的あるいは非周期的に積層させた多層構造を作製することにより磁化を低減し、記録電流を抑制する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

メモリセルに印加する電流および磁場でセル中に形成した磁壁を移動させ、記録状態、消去状態を実現する磁壁移動型メモリセルの磁壁移動型メモリセル材料において、情報記録層となる磁性体が磁性ベース合金と非磁性元素を含んで構成されることを特徴とする磁壁移動型メモリセル材料。

IPC (7件)：

H01F 10/14 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  H01F 41/18 ,  H01F 41/20 ,  G11B 5/667

FI (6件)：

H01F10/14 ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18 ,  H01F41/20 ,  G11B5/667

Fターム (24件)：

4M119AA03 ,  4M119BB20 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ09 ,  5D006CA03 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA25 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01 ,  5F092AB06 ,  5F092AC30 ,  5F092AD26 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD13 ,  5F092BD20 ,  5F092BE25