半導体デバイス及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-277259
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116196
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】メサ構造の半導体基体を備えた半導体デバイス、特に発光ダイオードにおいて、光の減結合を改善したものを提供する。【解決手段】湾曲した側面9が半導体基体1の上面2に隣接して凹面であり、下面3に隣接して凸面に形成される。複数個のこのような半導体デバイスを製造する方法においては、メサエッチングは半導体ウェハ10を個々のチップに分割した後に行われる。

請求項（抜粋）：

上面(2)、下面(3)及び少なくとも1つの湾曲した側面(9)を有する半導体基体(1)を備え、外から見て湾曲した側面(9)が下面(3)に隣接して凸面、上面(2)に隣接して凹面であり、下面(3)の面積が上面(2)の面積よりも大きいことを特徴とする半導体デバイス。

前のページに戻る