特許

J-GLOBAL ID：200903000847532225

ガス・デポジション法による微粒子膜の形成法およびその形成装置

発明者： 林 主税 ,  賀集 誠一郎
出願人/特許権者： 真空冶金株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-264915
公開番号（公開出願番号）：特開平6-116743
出願日： 1992年10月02日
公開日（公表日）： 1994年04月26日
要約：

【要約】【目的】 基板上に形成される微粒子の堆積膜に部分的な特性を極めて簡単に形成することが出来るガス・デポジション法による微粒子膜の形成法と、それに用いる形成装置。【構成】 基板上にキャリアガスと微粒子を同時に搬送して、微粒子膜を形成する際、微粒子の組成比の変化と、結晶粒の大きさの変化とを単独、または併用で行う微粒子膜の形成法。基板上にキャリアガスと微粒子を搬送する搬送管の途中にガス導入・排出室を配置した微粒子膜の形成装置。

請求項（抜粋）：

微粒子をキャリアガス中に浮遊させ、キャリアガスと共に搬送し、噴射して基板上に微粒子膜を形成するガス・デポジション法において、基板上に堆積する微粒子膜の厚さ方向、または長さ方向に組成比の変化と、結晶粒の大きさの変化とを単独、または併用で行って、微粒子膜に複合的特性を与え、該特性を広範囲に制御することを特徴とするガス・デポジション法による超微粒子膜の形成法。