特許
J-GLOBAL ID：200903000847624243
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-203807
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058030
出願日： 1993年08月18日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【構成】減圧CVD装置において、反応管が外反応管11と内反応管12とからなる二重構造を有し、内反応管12と外反応管11間に反応ガスを流入させるようにガス導入口16が設けられており、内反応管12がボ-ト14を挿入した際に二つ以上の部分に分割するしきいと、内反応管12自体を冷却する冷却構造と、内反応管12と外反応管11間の反応ガスをしきいで区切られた各々の部分に流入、流出させる少なくとも一つ以上の導入口及び排気口とを有していることを特徴とする。【効果】本発明によれば、反応ガスの活性化、反応管内のガス濃度の均一性の向上及び堆積温度の低温化を図ることが出来、堆積させた膜の厚さがより均一で、且つ、その堆積速度が高められたCVD装置を提供できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板を複数枚載置するボ-トを挿入可能で、反応ガスを流入するためのガス導入口と反応ガスを排出するためのガス排気口とを有する反応管と、この反応管の外側に設けられたヒ-タとを有する半導体製造装置において、前記反応管が内反応管と外反応管とからなる二重構造を有し、前記内反応管と前記外反応管間に反応ガスを流入させるように前記ガス導入口が設けられており、前記内反応管が前記ボ-トを挿入した際に二つ以上の部分に分割するしきいと、前記内反応管自体を冷却する冷却構造と、前記内反応管と前記外反応管間の反応ガスを前記しきいで区切られた各々の部分に流入、流出させる少なくとも一つ以上の導入口及び排気口とを有していることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/52
, H01L 21/31
