特許

J-GLOBAL ID：200903000848818610

炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法

発明者： リプキン,ロリ・エイ ,  スレイター,デーヴィッド・ビー,ジュニアー ,  パルモウアー,ジョン・ダブリュー
出願人/特許権者： クリー リサーチ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-518224
公開番号（公開出願番号）：特表平11-505073
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】改良された酸化物層と、酸化物をベースとしたデバイスからの改良された性能とを得るための方法が開示されている。本発明の方法は、炭化ケイ素層上の酸化物層を、SiCがかなりの速度で酸化し始める温度未満の温度ではあるが、酸化性ガス源の酸化物層中への拡散を可能にするよう充分に高くて、しかも炭化ケイ素の実質的なさらなる酸化が避けられるような温度にて、酸化物層を緻密化するに足る、そして酸化物層と炭化ケイ素層との間の界面を改良するに足る時間にわたって酸化性ガス源に暴露する工程を含む。

請求項（抜粋）：

SiCがかなりの速度で酸化し始める温度未満の温度ではあるが、酸化性ガス源の酸化物層中への拡散を可能にするよう充分に高くて、しかも炭化ケイ素の実質的なさらなる酸化が避けられるような温度にて、酸化物層を緻密化するに足る、また酸化物層と炭化ケイ素層との間の界面を改良するに足る時間にわたって、炭化ケイ素層上の酸化物層を酸化性ガス源に暴露する工程を含む、改良された酸化物層と、酸化物をベースとしたデバイスからの改良された性能とを得る方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 B