特許

J-GLOBAL ID：200903000850057040

モノリシックマイクロ波集積回路

発明者： 大塚 薫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-070283
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283667
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 ドレイン電流の調整作業が容易なモノリシックマイクロ波集積回路を提供すること。【構成】 電界効果トランジスタ11を半導体基板上に形成し、電界効果トランジスタ11のゲートGに第1のバイアス分割抵抗R1や第2のバイアス分割抵抗R2そしてゲートバイアス調整抵抗Rtとを接続している。このような構成で、電界効果トランジスタ11のドレイン電流を増大させるか、あるいは、減少させるかにより、ゲートバイアス調整抵抗Rtを、第1あるいは第2のバイアス分割抵抗R1、R2のいずれか一方に接続するようにしている。

請求項（抜粋）：

ゲート、ドレイン、ソースの各電極を有し、半導体基板上に形成される電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのゲートに一端がが接続される第1のバイアス分割抵抗と、前記電界効果トランジスタのゲートに一端が接続される第2のバイアス分割抵抗と、前記電界効果トランジスタのゲートに一端が接続されるゲートバイアス調整抵抗とを具備し、前記電界効果トランジスタのドレイン電流を増大させるか、あるいは減少させるかにより、前記ゲートバイアス調整抵抗を、前記第1あるいは第2のバイアス分割抵抗のいずれか一方に接続できるようにしたことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路。