特許

J-GLOBAL ID：200903000857422401

パワー半導体モジュール

発明者： ハインリヒ ハイルブロンナー
出願人/特許権者： ゼミクロン エレクトローニク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 藤田 アキラ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-348136
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140356
出願日： 2003年10月07日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：

【課題】 少なくとも1つのパワー半導体素子と基板との間の電気的且つ熱的な伝導接続部、及び/又は、ヒートシンクに対する熱的な伝導接続部が、減少された熱抵抗及び必要ならば電気抵抗を有するようなパワー半導体モジュールを提供する。 【解決手段】 少なくとも1つのパワー半導体素子(4)が、基板面に対して実質的に垂直に延びる炭素微小管(6)から成る層を用い、金属層(3)と接続されている、及び/又は、基板(2)が炭素微小管(5、8)から成る層を用い、ベースプレート(1)又は冷却体(1)と接続されていること。 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ケーシングと、少なくとも1つのパワー半導体素子(4)と、第1表面上に金属層(3)が配設されている少なくとも1つの絶縁基板(2)とを含む、ベースプレート(1)を有する又は冷却体(1)上に直接的に取り付けるためのパワー半導体モジュールにおいて、 少なくとも1つのパワー半導体素子(4)が、基板面に対して実質的に垂直に延びる炭素微小管(6)から成る層を用い、金属層(3)と接続されている、及び/又は、基板(2)が炭素微小管(5、8)から成る層を用い、ベースプレート(1)又は冷却体(1)と接続されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (3件)：

H01L23/373 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (2件)：

H01L23/36 M ,  H01L25/04 C

Fターム (5件)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21 ,  5F036BC05

引用特許：

出願人引用 (4件)

• ドイツ特許発明第19903875号明細書
  
• ドイツ特許発明第19648562号明細書
  
• ドイツ特許出願公開第10103340号明細書
  
• ドイツ特許出願公開第10129170号明細書