特許

J-GLOBAL ID：200903000858590898

膜形成方法及び膜形成材料

発明者： 町田 英明 ,  國分 宏
出願人/特許権者： 株式会社トリケミカル研究所
代理人 (1件)： 宇高 克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-055179
公開番号（公開出願番号）：特開平11-256330
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：

【要約】【課題】 高品質な膜を効率良く提供できる技術を提供することである。【解決手段】 金属系膜を形成する為の材料であって、一分子内に、一価金属Mとβ-ジケトンとが配位結合した単位を二つ以上有すると共に、前記一価金属Mに配位結合した安定化配位子を有するものであり、前記安定化配位子が下記一般式〔I〕で表される群の中から選ばれる。【化1】一般式〔I〕(但し、R1 ,R2 ,R3 ,R4 ,R5 ,R6 ,R7 ,R8 は、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルケン基、炭素数1〜10のアルキン基、炭素数1〜10のアリール基、炭素数1〜10の置換アリール基、Siを含む炭素数1〜10のアルキル基、Siを含む炭素数1〜10のアルケン基、Siを含む炭素数1〜10のアルキン基、Siを含む炭素数1〜10のアリール基、Siを含む炭素数1〜10の置換アリール基の群の中から選ばれるいずれかであり、R1 ,R2 ,R3 ,R4 ,R5 ,R6 ,R7 ,R8 は同じでも異なるものでも良い。l,mは0〜10の整数である。)

請求項（抜粋）：

一価金属Mとβ-ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体を、基板が存する室内に供給する工程と、供給された前記配位錯体が分解し、基板上にMが付着する工程と、前記付着工程の後、乾式メッキ手段により金属系膜を形成する工程とを有することを特徴とする膜形成方法。

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第3053080号
  
• 特開昭58-018392
  
• 特許第3840650号
  

審査官引用 (4件)

• 特許第3053080号
  
• 特許第3053080号
  
• 特開昭58-018392
  
• 特許第3840650号