磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-284532
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214409
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】電算機用の磁気ディスク装置、あるいはVTR等の磁気テープ装置用の再生専用ヘッドとして用いられる磁気抵抗効果型(MR)ヘッド及びその製造方法を提供する。【解決手段】 SALバイアス膜と磁気分離層13と磁気抵抗効果型(MR)素子14と磁区制御膜15とを有する構造の磁気抵抗効果型(MR)ヘッド10において、MR素子を構成するNiFe14に縦バイアスを付加し磁区制御を行なうに際し、FeMn反強磁性膜15を用いた交換結合バイアス型のMRヘッドにFeMnの保護膜としてTa(タンタル)16を前記FeMn15に隣接してMR素子14と離隔する側に設けるようにして、バルクハウゼンノイズのない安定な動作を確保した。

請求項（抜粋）：

SALバイアス膜と磁気分離層と磁気抵抗効果型(MR)素子と磁区制御膜とを有する構造の磁気抵抗効果型(MR)ヘッドにおいて、前記磁区制御膜を構成するFeMnの保護膜としてTa(タンタル)を前記FeMnに隣接して前記MR素子と離隔する側に設けたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。

前のページに戻る