特許
J-GLOBAL ID：200903000863817523
光電素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曽々木 太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-110719
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283723
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 最適な光学的バンドギャップを有することにより太陽電池に応用した場合、最適な光電変換効率が得られるシリコン系光電素子を提供する。【構成】 p型のポーラスシリコンからなる活性層1と、n型のアモルファスシリコンまたは微結晶シリコンを含むn型のアモルファスシリコン2とのpn接合からなる。
請求項（抜粋）：
p型のポーラスシリコンからなる活性層と、n型のアモルファスシリコンまたは微結晶シリコンを含むn型のアモルファスシリコンとのpn接合からなることを特徴とする光電素子。
FI (2件)：
H01L 31/04 L
, H01L 31/04 N
