特許
J-GLOBAL ID：200903000864493802
多層配線構造体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-050373
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268381
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】電子計算機,ワークステーション等に使用される電子部品を搭載する多層配線構造体に係わり、特に微細配線層を有する寸法安定性にすぐれた高信頼性の高多層実装基板及びその製造方法を提供することにある。【構成】低熱膨張金属からなるコア材の両面に絶縁層を介して面積率が対応するように配線層が形成された構造を有するサブアセンブリの少なくとも2組以上の複合体であり、前記サブアセンブリ間が貫通孔を介し導体接続されていることを特徴とする多層配線構造体。【効果】低熱膨張率のコア材を有する配線構造をベースとしているため、基板の寸法変化が小さく、微細な配線層が形成でき、サブアセンブリ間の接続信頼性の向上に効果がある。また、基板が安価に製造できる。
請求項（抜粋）：
低熱膨張金属からなるコア材の両面に絶縁層を介して面積率が対応するように配線層が形成された構造を有するサブアセンブリの少なくとも2組以上の複合体であり、前記サブアセンブリ間が貫通孔を介し導体接続されていることを特徴とする多層配線構造体。
IPC (2件)：
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