特許
J-GLOBAL ID:200903000865979210

半導体集積回路パターンの位置合わせ方法および装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-300206
公開番号(公開出願番号):特開平6-151274
出願日: 1992年11月11日
公開日(公表日): 1994年05月31日
要約:
【要約】【目的】 半導体ウエハ上に形成されたパターンの位置を高精度に測定する技術を提供する。【構成】 半導体ウエハ上に形成されたパターンの像の画像信号を処理して前記パターンの位置を測定する際、前記パターンの中心らしさを示す評価関数として、対称性マッチング法による評価関数とテンプレートマッチング法による評価関数とをそれぞれ求め、これらを加え合わせた複合評価関数を算出してその極値を検出する。
請求項(抜粋):
レチクル上に形成されたパターンの像を半導体ウエハ上に投影する投影露光系と、光源の照明光を前記半導体ウエハ上に照射してその反射光を検知することにより、前記半導体ウエハ上に形成されたパターンの像を画像信号に変換するウエハ位置検出系と、前記画像信号を処理することにより、前記半導体ウエハ上における前記パターンの位置を測定する位置測定演算系とを有する露光装置を用いる半導体集積回路パターンの位置合わせ方法であって、前記半導体ウエハ上に形成されたパターンの像の画像信号を処理して前記パターンの位置を測定する際、前記パターンの中心らしさを示す評価関数として、前記画像信号の対称性に関する評価関数と、あらかじめ用意したテンプレートとのマッチングに関する評価関数とをそれぞれ求め、これらを加え合わせて複合した評価関数を算出してその極値を検出することを特徴とする半導体集積回路パターンの位置合わせ方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 9/00

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