特許

J-GLOBAL ID：200903000869719779

半導体ウェハ研摩装置および方法

発明者： ピーター・エイ・バーク ,  エリック・エイチ・フリーマン ,  ギルバート・エイチ・ロス
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236374
公開番号（公開出願番号）：特開平8-099264
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：

【要約】【課題】 平坦化プロセスの際に、半導体ウェハ表面上のコーティングの厚さを、測定する装置を含む半導体ウェハ研磨装置の提供。【解決手段】 本研磨装置は回転研磨プラテン11と、研磨スラリ供給手段14,15と、ウェハを保持する回転研磨チャック19と、研磨手段に隣接し、電解液、フィールド電極、および前記フィールド電極内に配置された複数の測定電極を含むタンクを有する測定ステーション25とを備える。測定ステーション25は、電解液に浸漬された複数の測定電極を有するので、ウェハが測定ステーションに導かれると、ウェハ表面はスラリあるいは他の汚染物から洗浄されるだけでなく、同時に測定電極は全ウェハ表面に渡って多数点の厚さの測定値を与える。従って、パッドあるいはスラリの状態による測定の変化が排除される。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上の薄い誘電体層を平坦化する半導体ウェハ研摩装置において、上面に研磨スラリが供給される回転研摩プラテンを含む研摩手段と、前記ウェハを保持するピックアップ・ヘッドと、前記研摩手段に隣接し、電解液,フィールド電極,および前記フィールド電極内に配置された複数の測定電極を含むタンクを有する測定ステーションと、を備えることを特徴とする半導体ウェハ研摩装置。

IPC (3件)：

B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304