特許

J-GLOBAL ID：200903000869777892

半導体装置の製造方法

発明者： 長島 和人 ,  高橋 敏郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-315280
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124634
出願日： 2000年10月16日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 ノイズに対して電源電圧を安定させることで、半導体装置の高集積化および高周波数動作を実現する。【解決手段】 基板1の裏面全面に絶縁膜3を形成し、次いで絶縁膜3上の全面に金属電極4を形成することにより、基板1、絶縁膜3および金属電極4からなる容量C1を半導体チップSCの裏面全面に形成する。

請求項（抜粋）：

基板の裏面に、前記基板、絶縁膜および電極で構成される容量を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 321 M ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 623 Z ,  H01L 29/78 626 C

Fターム (45件)：

5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC07 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AV06 ,  5F038BG09 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CA04 ,  5F038CA12 ,  5F038CD02 ,  5F038CD03 ,  5F038CD04 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AB02 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA06 ,  5F048BA09 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA21 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22 ,  5F110EE09 ,  5F110EE38 ,  5F110GG02 ,  5F110GG34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ17