特許
J-GLOBAL ID：200903000872240824
成膜方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-197572
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023904
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 Si3N4成膜時に反応副生成物であるNH4Clの発生をなくすようにする。【解決手段】 反応管1内でウェハ4上にSi3N4膜を形成するのに、熱CVD法による成膜装置を用いる。成膜前にガス導入管9bから窒素原料となるNH3ガスを反応管1内に流す。成膜時、連続してNH3を流すとともに、同時にガス導入管9aからSi原料となるClを含まないヘキサメチルジシラザン(Si2NH19C6)ガスを流す。これによりSi3N4膜をウェハ4上に成膜する。成膜後は、ヘキサメチルジシラザンガスを流すのを止めるが、NH3ガスはしばらく流し続ける。
請求項（抜粋）：
ヘキサメチルジシラザンを用いて熱CVD法によりSiN膜を基板上に形成する成膜方法。
Fターム (16件)：
5F045AA03
, 5F045AA06
, 5F045AB33
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AC17
, 5F045AD11
, 5F045AE19
, 5F045BB08
, 5F045BB14
, 5F045DP19
, 5F045EB02
, 5F045EC02
, 5F045EE03
, 5F045EE04
, 5F045EE05
