特許
J-GLOBAL ID：200903000879601202
金結晶の製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118497
公開番号（公開出願番号）：特開平5-294792
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：
【要約】【目的】 平滑性の高い電極基板の製造方法及び製造装置を提供する。【構成】 基板3の表面を金錯体溶液1の気液界面4に接触させ、基板3を加熱し、基板近傍の金錯体溶液を、他の領域の溶液よりも高温に保ちながら基板3の表面に形成した平板状金結晶は、大型でかつ平滑性の高いものであり、STMを用いた情報処理装置等に好適な電極基板となる。
請求項（抜粋）：
基板表面に金結晶を成長させる際に、金錯体溶液中の金を過飽和状態に移行させ、該基板表面を該金錯体溶液の気液界面に接触させることを特徴とする金結晶の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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