特許

J-GLOBAL ID：200903000879840134

半導体レーザおよびその製法

発明者： 村山 実
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002835
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204877
出願日： 1998年01月09日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 ストライプのエッチング後の再成長時に、品質の良い結晶を再成長することができ、動作電圧が低い電気特性の優れた半導体レーザを得る。【解決手段】 (a)基板1上にAlGaInP系化合物半導体からなり、ダブルへテロ接合を形成する第1導電形のクラッド層2、活性層3、第2導電形の下部クラッド層4、(Alx Ga1-x )0.51In0.49P(0.05≦x≦0.25)からなる第2導電形のエッチングストップ層5、GaAsからなる第1導電形の電流狭窄層6を順次エピタキシャル成長し、(b)前記電流狭窄層をエッチングしてストライプ溝6aを形成し、(c)前記半導体層が積層された基板を半導体層の成長室内に入れて、アルシンと水素との混合ガス雰囲気で650〜730°Cまで昇温し、(d)成長室内の雰囲気ガスをホスフィンと水素との混合ガスに切り替えて反応ガスを導入し、さらに半導体層を積層する。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上にAlGaInP系化合物半導体からなり、順次積層されてダブルヘテロ接合を形成する第1導電形のクラッド層、活性層、および第2導電形下部クラッド層と、該第2導電形下部クラッド層上に積層される第2導電形のエッチングストップ層と、該エッチングストップ層上に積層される第1導電形の電流狭窄層と、該電流狭窄層の上に設けられる第2導電形上部クラッド層およびコンタクト層とを有する半導体レーザであって、前記エッチングストップ層が(Alx Ga1-x )0.51In0.49P(0.05≦x≦0.25)からなり、前記電流狭窄層がGaAsからなる半導体レーザ。