特許

J-GLOBAL ID：200903000880548919

Bi系超伝導材料及びこれを用いた超伝導線材の製造方法

発明者： 小林 玉樹 ,  田 透
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 吉田 勝広 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-259628
公開番号（公開出願番号）：特開平8-104522
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【目的】 40K程度以上で簡便に利用することが可能な、磁場の印加される環境下で高い電流密度(Jc)を有する超伝導材料の提供、及びこの様な優れた特性の超伝導線材を用いた線材を簡便に提供し得る超伝導線材の製造方法の提供。【構成】 Bi2223相と(Bi,Pb)1212相を同時に含有するBi系超伝導材料であって、Bi2223相の含有率をXmol%、(Bi,Pb)1212相の含有率をYmol%とした場合に1/3≦X/Y≦1.5であることを特徴とするBi系超伝導材料及びこれを用いた超伝導線材の製造方法。

請求項（抜粋）：

Bi2223相と(Bi,Pb)1212相を同時に含有するBi系超伝導材料であって、Bi2223相の含有率をXmol%、(Bi,Pb)1212相の含有率をYmol%とした場合に1/3≦X/Y≦1.5であることを特徴とするBi系超伝導材料。

IPC (4件)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/45 ZAA ,  H01B 13/00 565