特許

J-GLOBAL ID：200903000881693971

固体撮像素子

発明者： 森 秀樹 ,  田口 嘉伸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-381767
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184966
出願日： 2000年12月15日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板1の表面部に入射光を光電変換するフォトセンサ19を複数配設した受光部20と入射光を遮光されて黒信号レベルを検出するフォトセンサ22を配設したオプチカルブラック部23を形成し受光部20及びオプチカルブラック部23上に水素遮蔽性絶縁膜4を形成した固体撮像素子において、受光部20の光を入射しないときの出力レベルと、オプチカルブラック部23の出力レベルとの関係を任意に調整できるようにする。【解決手段】水素遮蔽性絶縁膜4のフォトセンサ19、22上を覆う各部分の面積の各フォトセンサ19、22の面積に対する比(:水素遮蔽性絶縁膜対フォトセンサ面積比)を受光部20のフォトセンサ19とオプチカルブラック部23のフォトセンサ22で異ならせる。例えば、水素遮蔽性絶縁膜対フォトセンサ面積比を、受光部20よりもオプチカルブラック部23の方を大きくする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面部に、入射光を光電変換するフォトセンサを複数配設した受光部と、入射光を遮光されて黒信号レベルを検出するフォトセンサを配設したオプチカルブラック部を形成し、上記受光部及びオプチカルブラック部上に水素遮蔽性を有する水素遮蔽性絶縁膜を形成した固体撮像素子において、上記水素遮蔽性絶縁膜の上記各フォトセンサ上を覆う各部分の面積の各フォトセンサ面積に対する比を、上記受光部を構成するフォトセンサと、上記オプチカルブラック部を構成するフォトセンサとで異ならせてなることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 F ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 D

Fターム (13件)：

4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA34 ,  4M118FA06 ,  4M118GB03 ,  4M118GB09 ,  4M118GB11 ,  5C024CX31 ,  5C024GX02 ,  5C024GY01 ,  5C024GZ36