特許
J-GLOBAL ID：200903000882246537
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-305178
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150243
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】 II-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、電流狭窄領域を再現性良くしかも確実に形成するとともに、高い信頼性を得る。【解決手段】 n型GaAs基板1上に複数のII-VI族化合物半導体層を積層してレーザ構造を形成する。これらのII-VI族化合物半導体層の上層部は、p型ZnSeコンタクト層10上にp型ZnSe/ZnTe多重量子井戸層11を介してp型ZnTeコンタクト層12を積層した構造とする。ストライプ部および電流狭窄領域におけるp型ZnTeコンタクト層12上にそれぞれp側電極13a、13bを形成するとともに、n型GaAs基板1の裏面にn側電極15を形成する。p側電極13bとn側電極15との間に電界を印加して電流を流すことによりp側電極13bの下側の部分のp型ZnTeコンタクト層12およびp型ZnSe/ZnTe多重量子井戸層12を高抵抗化し、電流狭窄領域16を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に積層された、コンタクト層を最上層とする複数のII-VI族化合物半導体層と、ストライプ部および電流狭窄領域における上記コンタクト層上にそれぞれ設けられた第1の第1導電型側電極および第2の第1導電型側電極と、上記半導体基板の裏面に設けられた第2導電型側電極と、上記第2の第1導電型側電極と上記第2導電型側電極との間に電界を印加することにより上記第2の第1導電型側電極の下側の部分の少なくとも上記コンタクト層中に設けられた高抵抗領域からなる電流狭窄領域とを有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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