特許
J-GLOBAL ID：200903000883133248

半導体プロセスガスの供給システム

発明者：
重田 賢二

重田 賢二 について

, 
羽坂 智

羽坂 智 について


出願人/特許権者：
日本酸素株式会社

日本酸素株式会社 について


代理人 (1件)： 木戸 一彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116448
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306839
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 高圧領域を低減して漏洩危険機会の低減を図り、安全性を向上させるとともに、コンパクトでガス供給系のパージ性能も大幅に向上した半導体プロセスガスの供給システムを提供する【解決手段】 容器取付側の閉止弁33と、ガス圧力を1MPa以下に減圧する減圧弁37,39と、閉止弁33の二次側にパージガスを導入するパージガス導入路34とをブロック化した減圧機能付き容器弁12を設けた容器ユニット10と、半導体プロセスガス使用先配管接続側の供給弁22と、供給弁一次側のガス供給系内のガスを排気する排気路とを備えた供給ユニット20とを接続部15で着脱可能にする。
請求項（抜粋）：
ガス容器内に充填されている半導体プロセスガスを減圧して使用先に供給するためのシステムであって、ガス容器及び該ガス容器に装着される減圧機能付き容器弁を備えた容器ユニットと、該容器ユニットのガス出口部に着脱可能に設けられる供給ユニットとを有し、前記減圧機能付き容器弁は、容器取付側の閉止弁と、該閉止弁の下流側に設けられてガス圧力を1MPa以下に減圧する減圧弁と、前記閉止弁の二次側にパージガスを導入するパージガス導入路とをブロック化するとともに、供給ユニット接続側に出口弁を付設したものであり、前記供給ユニットは、半導体プロセスガス使用先配管接続側の供給弁と、容器ユニット接続側から該供給弁に至る間の半導体プロセスガス供給路内のガスを排気するための排気路とを備えたものであることを特徴とする半導体プロセスガスの供給システム。
Fターム (9件)：
5F045AC01 ,  5F045BB14 ,  5F045BB20 ,  5F045EC08 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05 ,  5F045EG02 ,  5F045EG03
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM