特許

J-GLOBAL ID：200903000890498189

突起電極の形成方法

発明者： 阿部 昭彦
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-278617
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107037
出願日： 1996年10月01日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 はんだからなるほぼ球状の突起電極の高さをより高くしてもファインピッチ化を図ることができるようにする。【解決手段】 下地金属層15上に第1及び第2メッキレジスト層16、18を形成し、はんだの電解メッキを行う。すると、第2メッキレジスト層18の開口部19が第1メッキレジスト層16の開口部17よりも大きいので、図1(B)において点線で示すように、第2メッキレジスト層18の開口部19内においてはんだメッキが等方的に堆積され、次いでこの等方的な堆積が続行されることにより、第1及び第2メッキレジスト層16、18の開口部17、19内に形成された突起電極20の上部が第2メッキレジスト層18の開口部19の上方に盛り上がることになる。この場合、図1(B)において点線で示すきのこ形状の傘の部分の周囲が第2メッキレジスト層18の開口部19内壁によってそれ以上の広がりを規制されることになる。

請求項１：

上面に接続パッドが形成された基板上に、前記接続パッドに対応する部分に開口部を有する第1メッキレジスト層を形成し、該第1メッキレジスト層上に、該第1メッキレジスト層の開口部に対応する部分に該開口部よりも大きめの開口部を有する第2メッキレジスト層を形成し、前記第1及び第2メッキレジスト層の開口部内にメッキにより低融点金属からなる突起電極を形成し、前記第1及び第2メッキレジスト層を剥離し、熱処理により前記突起電極の形状をほぼ球状とすることを特徴とする突起電極の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 S