特許

J-GLOBAL ID：200903000891072720

パターン形成方法

発明者： 魚谷 重雄 ,  有本 一郎 ,  石場 輝昭 ,  石橋 健夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-301944
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144693
出願日： 1991年11月18日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 微細なパターンの形成において、解像度を高めることを目的とする。【構成】 感光性レジストの感光剤に、該感光性レジストの前記塗布厚み方向の濃度勾配を持たせ、かつ、その勾配を、感光性レジストの表面側での濃度を半導体基板側での濃度より高くしている。また、露光を、フォトマスクを通してパターン露光を行う工程と、所定の光強度以下で全面露光を行う工程とから構成している。

請求項（抜粋）：

半導体基板に塗布した感光性レジストをフォトマスクを通して露光してのち、現像を行うパターン形成方法において、前記感光性レジストの感光剤に、該感光性レジストの前記塗布厚み方向の濃度勾配を持たせ、かつ、その勾配を、感光性レジストの表面側での濃度を半導体基板側での濃度より高くすることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 511

FI (2件)：

H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 361 Z