特許

J-GLOBAL ID：200903000897629416

半導体装置用絶縁膜の分析方法

発明者： 中野 正
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055547
公開番号（公開出願番号）：特開平8-247975
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体集積回路に用いられる絶縁膜の表面分析法に関し、酸化膜等の絶縁膜表面に存在するシラノールのみを高い感度で定量する方法の提供。【構成】 絶縁膜表面をフッ素を含むシランカップリング剤で処理した後、その表面をX線光電子分光法あるいはオージェ電子分光法を用いて表面に存在するフッ素を定量する半導体装置用絶縁膜の分析方法であり、前記シランカップリング剤が、トリデカフロロオクチルトリメトキシシランの加水分解生成物、ヘプタデカフロロデシルトリメトキシシランの加水分解生成物、トリデカフロロオクチルトリクロロシラン、およびヘプタデカフロロデシルトリクロロシランから選ばれる1種または2種以上であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

絶縁膜表面をフッ素を含むシランカップリング剤で処理した後、その表面をX線光電子分光法あるいはオージェ電子分光法を用いて表面に存在するフッ素を定量することを特徴とする半導体装置用絶縁膜の分析方法。