特許
J-GLOBAL ID：200903000899538531
柱状ナノ構造体(ナノロッド)を利用し発光ダイオード(LED)の発光効率を引き上げる方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲吉▼川 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-289058
公開番号（公開出願番号）：特開2008-306156
出願日： 2007年11月06日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】光電気化学(PHOTOELECTROCHEMICAL ,PEC)反応を利用して酸化反応を起こし、柱状ナノ構造体を有する発光ダイオード(LED)を形成する。【解決手段】発光ダイオード(LED)の表面に薄膜金属層をめっきし、それを熱処理した後で金属の顆粒でマスクを形成し、マスクで保護されていない部分にエッチング処理を施し、金属顆粒マスクを取り外して柱状ナノ構造体(ナノロッド)を形成し、続いて、柱状ナノ構造体(ナノロッド)が形成された発光ダイオード(LED)を光電気化学(PHOTOELECTROCHEMICAL ,PEC)反応を利用、それに一定の電流を流し、さらに水銀灯の光を照射し、P型半導体材料を除き、材料の表面積に酸化層106を形成し、最後に再度金属層107をめっきし、P型半導体材料を導通して、柱状ナノ構造体(ナノロッド)を有する発光ダイオード(LED)を形成する。【選択図】図1F
請求項（抜粋）：
サファイア基板と、
サファイア基板の上にあるP型GaN(窒化ガリウム)層と、
P型GaN(窒化ガリウム)層の上にある多重量子井戸と、
多重量子井戸の上にあるN型GaN(窒化ガリウム)層を備え、
N型GaN(窒化ガリウム)層の表面に金属薄層を形成し、
それに素早く熱処理を施すことで複数の金属顆粒を形成し、
N型GaN(窒化ガリウム)層と前記多重量子井戸にエッチングを施し、
複数の前記金属顆粒をマスクとし、
複数の柱状ナノ構造体(ナノロッド)を形成し、
複数の前記柱状ナノ構造体(ナノロッド)には複数の前記金属顆粒が含まれ、
前記N型GaN(窒化ガリウム)層と前記多重量子井戸により、
残留した複数の前記金属顆粒を取り除き、
前記柱状ナノ構造体(ナノロッド)の一部を取り除いたものを電極とし、
光電気化学(PHOTOELECTROCHEMICAL ,PEC)反応を利用した酸化工程では、
酸化層で複数の前記柱状ナノ構造体(ナノロッド)を被覆し、
前記酸化層に金属層をめっきし、
前記電極部分をP型GaN(窒化ガリウム)層と連結させオーム接触を形成し、
これにより柱状ナノ構造体(ナノロッド)を有する発光ダイオード(LED)を形成する
ことを特徴とする柱状ナノ構造体(ナノロッド)を利用し発光ダイオード(LED)の発光効率を引き上げる方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041AA31
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA93
, 5F041CB11
, 5F041CB36
