特許
J-GLOBAL ID:200903000907163925

チタンおよびチタン合金のMIG溶接方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 敬 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-127095
公開番号(公開出願番号):特開2003-320457
出願日: 2002年04月26日
公開日(公表日): 2003年11月11日
要約:
【要約】【課題】 チタン又はチタン合金をMIG溶接方法を用いて、安定、かつ高能率に、かつ半自動溶接による現場溶接を可能とし、溶接時間短縮によるシールドガス使用量低減によるコスト削減を図ったチタンまたはチタン合金のMIG溶接方法を提供する。【解決手段】 チタンまたはチタン合金のMIG溶接において、表面粗度:1.0〜5.0μmを有し、かつ最大粗さ(Rmax)が10μm以下の純チタンまたはチタン合金の溶接ワイヤを用い、更にMIG溶接が、300A≦(ピーク電流)≦500A、2.0≦(ピーク電流)/(ベース電流)≦5.0、の条件を満たすパルス溶接電流を用いて溶接することによりワンダリング現象を起こさず、安定してMIG溶接するチタンまたはチタン合金のMIG溶接方法。
請求項(抜粋):
チタンまたはチタン合金のMIG溶接において、表面粗度:1.0〜5.0μmを有し、かつ最大粗さ(Rmax)が10μm以下の純チタンまたはチタン合金の溶接ワイヤを用いて溶接することを特徴とするチタンおよびチタン合金のMIG溶接方法。
IPC (4件):
B23K 9/23 ,  B23K 9/173 ,  B23K 35/02 ,  B23K103:14
FI (4件):
B23K 9/23 C ,  B23K 9/173 C ,  B23K 35/02 N ,  B23K103:14
Fターム (5件):
4E001BB08 ,  4E001CB04 ,  4E001DE04 ,  4E001EA01 ,  4E001EA10

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