特許
J-GLOBAL ID：200903000907216263

電圧発生回路および半導体記憶装置

発明者：
富田 浩由

富田 浩由 について

, 
鎌田 心之介

鎌田 心之介 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-030329
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237183
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【課題】 半導体記憶装置に供給する電源電圧をクロック信号に応じて設定する。【解決手段】 基準電圧発生手段1は、複数の基準電圧を発生する。クロック信号入力部2は、クロック信号を入力する。周期測定手段3は、クロック信号入力部2から入力されたクロック信号の周期を測定する。選択手段4は、周期測定手段3による測定結果に応じて、基準電圧発生手段1によって発生された基準電圧の何れかを選択する。電源電圧出力手段5は、選択手段4によって選択された基準電圧に対応する電源電圧を出力する。
請求項（抜粋）：
複数の基準電圧を発生する基準電圧発生手段と、入力されたクロック信号の周期を測定する周期測定手段と、前記周期測定手段による測定結果に応じて、前記基準電圧発生手段によって発生された基準電圧の何れかを選択する選択手段と、前記選択手段によって選択された基準電圧に対応する電源電圧を出力する電源電圧出力手段と、を有することを特徴とする電圧発生回路。
IPC (2件)：
G11C 11/407 ,  G05F 3/24
FI (3件)：
G05F 3/24 B ,  G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 362 S
Fターム (22件)：
5H420NA31 ,  5H420NB02 ,  5H420NB22 ,  5H420NB31 ,  5H420NB37 ,  5H420NC06 ,  5H420NC26 ,  5M024AA40 ,  5M024BB29 ,  5M024BB40 ,  5M024CC23 ,  5M024DD83 ,  5M024FF03 ,  5M024FF07 ,  5M024FF15 ,  5M024HH01 ,  5M024HH09 ,  5M024JJ02 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03 ,  5M024PP07
引用特許：
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM