特許

J-GLOBAL ID：200903000907974311

電極構造およびその製造方法

発明者： 寺口 信明 ,  奥村 敏之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-333765
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193216
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 優れたオーミック接触が得られ、しかも発光素子の一部として形成しても発光素子に悪影響を及ぼすことがない、p型ZnxMgyCd1-x-ySzSe1-z(0≦x、y、z≦1,x+y≦1)半導体を用いた電極構造及びその製造方法を提供する。【構成】 p型ZnxMgyCd1-x-ySzSe1-z(0≦x、y、z≦1,x+y≦1)半導体1上に金属Cdを堆積して熱処理を行う。この熱処理によりオーミック接触層2が形成される。このようにして、従来困難であったp型ZnxMgyCd1-x-ySzSe1-z(0≦x、y、z≦1,x+y≦1)半導体に対する良好なオーミック接触が容易に、かつ、発光素子に悪影響を及ぼすことなく実現できる。

請求項（抜粋）：

p型ZnxMgyCd1-x-ySzSe1-Z(0≦x、y、z≦1,x+y≦1)半導体層と電極金属層との間に、CdまたはHgのいずれかを含む合金層を有するオーミック接触層が形成されている電極構造。

IPC (2件)：

H01L 29/43 ,  H01L 33/00