特許

J-GLOBAL ID：200903000912652071

電子構造体およびその製造方法

発明者： ベス・エー・バウマート ,  リ-シン・チャン ,  テセ-ラン・サイ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-292986
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238412
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】 高比誘電率および電流密度のリークが低い電子構造体の製造に使用され得る誘電体材料を提供すること。電子構造体の通常の動作の間において、常誘電状態から強誘電状態へ、その誘電体物質が変化させない程度であって、電子構造体の動作温度より低いキュリー温度を有する誘電体材料を提供する。【解決手段】 誘電体材料(43、61、63、71)がBa(Ti(1-X)SnX)O3を使用して形成される。誘電体材料(43、61、63、71)は、金属有機分解またはゾルゲル法、またはスパッタリングターゲット(12)から材料をスパッタリングすることにより、形成される。

請求項（抜粋）：

誘電体材料の層(43、61、63、71)を有する電子構造体(40、50、60、70)であって、前記誘電体材料の層(43、61、63、71)は、スズ(Sn)から構成される、ことを特徴とする電子構造体。

IPC (11件)：

H01B 3/12 303 ,  C04B 35/46 ,  H01G 4/12 358 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (7件)：

H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358 ,  C04B 35/46 D ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371