特許

J-GLOBAL ID：200903000915443856

半導体発光素子

発明者： 湯浅 貴之 ,  猪口 和彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-288090
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121806
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 発光素子において白色光を得る方法として、発光層を積層した構造があるが、この場合、電極を多数この接続する必要が有り、発光の制御が繁雑であった。【解決手段】 一対の電極の間に、直列にそれぞれ波長の異なる光を発する発光層を3層有している。101は結晶成長を行うための基板であり、103、105、106はそれぞれ発光波長の異なる発光層、102、107は電流を注入するための電流注入層、104は発光層をそれぞれ隔離するためのバリア層、108、109はオーミック電極である。

請求項（抜粋）：

一対の電極の間に構成されている半導体発光素子において、p型層およびn型層双方の近傍に異なる波長の発光層を2層以上有することを特徴とする半導体発光素子。