特許
J-GLOBAL ID：200903000920958775
平坦化方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-064845
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273114
出願日： 1994年04月01日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 下地段差の肩部における不純物含有溶融性材料の薄膜化などの不均一の発生等、所望の平坦化が実現できないことを防止して、所望の良好な平坦化が達成できる平坦化方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ?@段差を有する下地上にBPSG等の不純物含有溶融性材料層3を形成し、加熱して該溶融性材料層をフローさせる際、溶融性材料層の形成後、該溶融性材料層にイオン注入等により選択的に不純物を導入することによって、フローの選択的制御を行う。?A上記?@を用いて平坦化を行う半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
段差を有する下地上に不純物含有溶融性材料層を形成し、加熱して該溶融性材料層をフローさせる工程を有する平坦化方法において、前記溶融性材料層の形成後、該溶融性材料層に選択的に不純物を導入することによって、フローの選択的制御を行う構成としたことを特徴とする平坦化方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 K
, H01L 21/90 R
