特許

J-GLOBAL ID：200903000922396499

半導体ウェーハの保持方法

発明者： 松田 晃 ,  首藤 重揮 ,  島本 登 ,  田中 好一 ,  橋本 浩昌 ,  鈴木 文夫
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-308417
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061202
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体ウェーハを硬質基板に保持してその片面を研磨加工するに際して、半導体ウェーハをワックス、接着剤等を用いることなく保持し、かつ半導体ウェーハを高精度、高品質に研磨加工することを可能とする。【構成】 真空吸着用貫通微小孔2を有する硬質基板4表面に平面精度が高いシリコーン弾性体を形成し、そのシリコーン弾性体に前記微小孔と通ずる孔を設けたシリコーン弾性体6を設け、該硬質基板裏側より真空吸引し半導体ウェーハWを保持した後、該ウェーハの研磨加工を行う際、該シリコーン弾性体の表面粘着性のみで該半導体ウェーハを保持する。

請求項（抜粋）：

真空吸着用貫通微小孔を有する硬質基板表面に平面精度が高い前記微小孔と通ずる孔を設けたシリコーン弾性体層を設け、該硬質基板裏側より真空吸引し半導体ウェーハを保持した後、該ウェーハの研磨加工を行う際、該シリコーン弾性体の表面粘着性のみで該半導体ウェーハを保持することを特徴とする半導体ウェーハの保持方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/68