特許
J-GLOBAL ID：200903000922425278
MIS型半導体装置とその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-022311
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219522
出願日： 1996年02月08日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】微細化されたMIS型半導体装置においてもドレイン出力抵抗が大きく、駆動電流も大きいMIS型半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル領域のソース領域4a側には所望のしきい値となる濃度のチャネル領域5を設け、ドレイン領域4b側には低濃度のチャネル領域6を設ける。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上の半導体層上に形成した第1導電形のチャネル領域と第2導電形のソース領域および第2導電形のドレイン領域と前記チャネル領域上に形成したゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とからなるMIS型半導体装置において、前記第1導電形のチャネル領域のドレイン側の不純物濃度をソース側よりも低濃度にすることを特徴とするをMIS型半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 618 F
, H01L 29/78 301 X
