特許
J-GLOBAL ID：200903000933879475
フッ素ドープ低誘電率絶縁膜を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
竹内 澄夫
, 堀 明▲ひこ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-250491
公開番号（公開出願番号）：特開2006-074049
出願日： 2005年08月31日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】低誘電率及び高熱安定性を有するフッ素ドープ低誘電率シリコン酸化膜を形成する方法を与える。【解決手段】容量結合プラズマCVDにより、低誘電率シリコン酸化膜を形成する方法は、シリコンソースガスとしてSiH4、フッ素ソースガスとしてSiF4、及び酸素ソースガスとしてCO2から成る処理ガスを、(SiH4+SiF4)/CO2が約0.02から約0.2の範囲となるような流量比で、かつ、全圧が約250Paから約350Paとなるように反応チャンバへ導入する工程と、約10MHzから約30MHzの周波数の第1RF電力及び約400kHzから約500kHzの周波数の第2RF電力を印加する工程であって、2つのRF電力を重畳させることにより、反応チャンバ内部にプラズマ反応場を生成するところの工程と、それぞれのガスの流量及びそれぞれのRF電力出力を制御する工程と、から成る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
容量結合プラズマCVDを使って、ほとんどまたは実質的に水素を含まないフッ素ドープシリコン酸化膜を形成する方法であって、
シリコンソースガスとしてSiH4、フッ素ソースガスとしてSiF4、及び酸素ソースガスとしてCO2から成る処理ガスを、(SiH4+SiF4)/CO2が約0.02から約0.2の範囲となるような流量で、かつ、全圧が約250Paから約350Paとなるように、反応チャンバへ導入する工程と、
約10MHzから約30MHzの周波数の第1RF電力及び約400kHzから約500kHzの周波数の第2RF電力を印加する工程であって、第2RF電力の強度が第1RF電力の強度より低くなるように2つのRF電力を重畳させることにより、反応チャンバ内部にプラズマ反応場を生成し、それによりほとんどまたは実質的に水素を含まないフッ素ドープシリコン酸化膜を基板上に蒸着するところの工程と、
から成る方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/768
, H01L 23/522
H01L21/316 X
, H01L21/90 K
, H01L21/90 P
5F033RR11
, 5F033SS01
, 5F033SS02
, 5F033SS15
, 5F033WW00
, 5F033WW03
, 5F033WW04
, 5F033WW05
, 5F033WW06
, 5F033WW07
, 5F033XX00
, 5F033XX24
, 5F058BC02
, 5F058BC04
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF24
, 5F058BF29
, 5F058BF37
, 5F058BF38
, 5F058BJ02
