特許

J-GLOBAL ID：200903000936072599

薄膜の製造方法及び液晶表示装置の製造方法

発明者： 溝内 清継
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-283901
公開番号（公開出願番号）：特開平8-146461
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】本発明は、疎水作用の高い薄膜の上に積層された疎水作用の低い薄膜をウェットエッチング加工する際に、光学的検出手段を用いエッチングの過不足をなくすことを目的とする。【構成】疎水作用の低い薄膜をウェットエッチングする際、光強度センサーを2つ用い、基板からの反射光をそれぞれ検出する。この光強度センサーは、揺動するエッチング液供給用配管から供給されるエッチング液の両最端部の垂直上方にそれぞれ配置されている。そして片側の光強度センサーがエッチング終了時点の光強度を検出し、かつ反対側の光強度センサーが同一揺動周期内に連続してエッチング終了時点の光強度を検出した時点でエッチングを終了させる。

請求項（抜粋）：

第1の薄膜と、前記第1の薄膜の上に積層され前記第1の薄膜より疎水作用の低い第2の薄膜とを含む薄膜の製造方法において、前記第2の薄膜をパターン形成する工程は、エッチング液ノズルの所定角度範囲の揺動によりエッチングを行い、一方の最大揺動時にエッチング液の到達する領域とエッチング液の到達しない領域の上方にそれぞれ少なくとも1個ずつ配置した光学的検出手段を用いて前記第2の薄膜のエッチング終了時点を決定することを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 21/306 U ,  H01L 29/78 613