特許
J-GLOBAL ID：200903000938071263
3-5族半導体薄膜の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-316905
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169701
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上に成長する3-5族半導体薄膜の品質を向上させる。【構成】 結晶表面を3族安定化面に保持しつつ成長した膜厚1〜200nmの薄膜結晶層を少なくとも1層設け、該薄膜結晶層以外の半導体薄膜は、結晶表面を3族安定化面に保持した状態で成長する。【効果】 結晶表面を3族安定化面に保持しつつ成長した薄膜結晶層以降に成長する半導体薄膜の平坦性、結晶性が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、成長中の3-5族半導体結晶表面を5族安定化面に保持しつつ結晶成長を行う半導体薄膜の成長方法において、該半導体薄膜中に、結晶表面を3族安定化面に保持しつつ成長した膜厚1〜200nmの薄膜結晶層を少なくとも1層設けることを特徴とする3-5族半導体薄膜の成長方法。
IPC (2件)：
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