特許

J-GLOBAL ID：200903000938930177

基板加熱装置

発明者： 鯉沼 秀臣 ,  川崎 雅司
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-100133
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294547
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 極めて広い圧力範囲で大面積基板を均一に効率よく加熱することができ、かつ、成膜方法に限定されない適正な加熱を行い得る基板加熱装置を提供する。【解決手段】 基板加熱装置10は、薄膜形成用基板を加熱する。赤外線放射率の高いグラファイト素材でなるヒータ11を含み、ヒータ11は加熱すべき基板の直径と同等以上の外形を有する。ヒータ11の外周部11aが薄く形成されている。ヒータ11は、石英容器13内に非接触状態で支持されるとともに、その電流導入部14a,14bが石英により封止される。ヒータ11を石英容器13内に支持する際、石英容器13内を所定の圧力以下の状態にしてヒータ11が真空封入される。

請求項（抜粋）：

薄膜形成用基板を加熱するための加熱装置であって、赤外線放射率の高いグラファイト素材でなるヒータを含み、該ヒータが、加熱すべき基板の直径と同等以上の外形を有することを特徴とする基板加熱装置。

IPC (6件)：

H01L 21/31 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/46 ,  H05B 3/10 ,  H05B 3/14 ,  H05B 3/84

FI (6件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 14/50 E ,  C23C 16/46 ,  H05B 3/10 B ,  H05B 3/14 F ,  H05B 3/20 397 A

Fターム (44件)：

3K034AA05 ,  3K034AA22 ,  3K034BA05 ,  3K034BA14 ,  3K034BB02 ,  3K034BB14 ,  3K034HA01 ,  3K034HA10 ,  3K034JA10 ,  3K092PP09 ,  3K092QA05 ,  3K092QB15 ,  3K092QB32 ,  3K092QB40 ,  3K092QB45 ,  3K092QC42 ,  3K092QC59 ,  3K092RF03 ,  3K092RF12 ,  3K092SS47 ,  3K092TT14 ,  3K092VV22 ,  4K029FA04 ,  4K029FA06 ,  4K030AA02 ,  4K030DA03 ,  4K030JA09 ,  4K030KA05 ,  4K030KA12 ,  4K030KA24 ,  5F045AA20 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE02 ,  5F045AE03 ,  5F045AE05 ,  5F045AE07 ,  5F045AE09 ,  5F045EK08 ,  5F045EM01 ,  5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-234119
  
• 特開平3-108323
  
• 面状ヒータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-026186   出願人：東芝セラミックス株式会社, 東芝機械株式会社
• 特開平4-249090