特許
J-GLOBAL ID：200903000939657024

磁気メモリ装置

発明者：
芦田 裕

芦田 裕 について

, 
佐藤 雅重

佐藤 雅重 について

, 
小林 和雄

小林 和雄 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-094508
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278645
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】スピン注入磁化反転機構を用いた磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置において、ワード線やビット線などの磁気抵抗効果素子の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界による誤動作を防止しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】強磁性層50と、強磁性層50上に形成された非磁性層52と、非磁性層52上に形成された強磁性層54とを有し、スピンの注入により強磁性層54を磁化反転する磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子の近傍に設けられ、非磁性導体材料74が磁性導体材料72,76よりなるシールド層により被覆されてなる第1の配線78とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の強磁性層と、前記第1の強磁性層上に形成された非磁性層と、前記被磁性層上に形成された第2の強磁性層とを有し、スピンの注入により前記第2の強磁性層を磁化反転する磁気抵抗効果素子と、 前記磁気抵抗効果素子の近傍に設けられ、非磁性導体材料が磁性導体材料により被覆されてなる第1の配線と を有することを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (5件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L21/88 A
Fターム (49件)：
5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH34 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033NN40 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033VV03 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033XX23 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA13 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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