特許
J-GLOBAL ID:200903000941796465

二次電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-025168
公開番号(公開出願番号):特開2001-216966
出願日: 2000年02月02日
公開日(公表日): 2001年08月10日
要約:
【要約】【課題】 充分なレート特性を有し、かつサイクル特性にも優れた二次電池が求められていた。【解決手段】 平均粒径8μm以下であり、かつ下記のX線回折測定条件にて測定したブラッグ角2θ45.2°(104回折線)のKα1とKα2とを分離した際のKα1による半値幅が0.12°以下であるリチウム化合物を正極活物質とする正極と、リチウムをドープ・脱ドープし得る化合物を負極活物質とする負極と、非流動性電解質層とを具備してなる二次電池。X線回析測定条件光源:CuKα線(Kα1=1.5405Å、Kα2=1.5443Å)発散スリット:1/4°散乱スリット:1/4°受光スリット:0.15mmステップ幅:0.004°標準試料としてSiを用いた際、該Siのブラッグ角2θが47.3°(220回折線)の半値幅0.07〜0.08°となるような条件。
請求項(抜粋):
平均粒径8μm以下であり、かつ下記のX線回折測定条件にて測定したブラッグ角2θ45.2°(104回折線)のKα1とKα2とを分離した際のKα1による半値幅が0.12°以下であるリチウム化合物を正極活物質とする正極と、リチウムをドープ・脱ドープし得る化合物を負極活物質とする負極と、非流動性電解質層とを具備してなる二次電池。X線回析測定条件光源:CuKα線(Kα1=1.5405Å、Kα2=1.5443Å)発散スリット:1/4°散乱スリット:1/4°受光スリット:0.15mmステップ幅:0.004°標準試料としてSiを用いた際、該Siのブラッグ角2θが47.3°(220回折線)の半値幅0.07〜0.08°となるような条件。
IPC (3件):
H01M 4/58 ,  H01M 4/02 ,  H01M 10/40
FI (3件):
H01M 4/58 ,  H01M 4/02 C ,  H01M 10/40 Z
Fターム (19件):
5H029AJ05 ,  5H029AK03 ,  5H029AL06 ,  5H029AM03 ,  5H029AM04 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029DJ16 ,  5H029DJ17 ,  5H029HJ05 ,  5H029HJ13 ,  5H050AA02 ,  5H050AA07 ,  5H050CA08 ,  5H050CB07 ,  5H050EA24 ,  5H050FA17 ,  5H050FA19 ,  5H050HA13

前のページに戻る