特許

J-GLOBAL ID：200903000942914518

結晶成長方法、結晶成長用固体素子および結晶成長用装置

発明者： 三城 明
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-186600
公開番号（公開出願番号）：特開平10-007499
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：

【要約】【課題】 タンパク質等の生体高分子の結晶化を促進できる方法を提供する。【解決手段】 タンパク質等の生体高分子を含む緩衝溶液88の環境に応じて表面部分の正孔または電子の濃度を制御できるよう価電子が制御されたシリコン結晶80を溶液88に接触させる。溶液88は、シリコン結晶80の裏面側から貫通孔86を介して注入され、重力の方向に垂れ下がった液滴の状態でシリコン結晶80上に保持される。シリコン結晶80には、サイズの異なる複数の溝または孔82a〜fが形成されており、この中で生体高分子の結晶化が促進されるよう価電子が制御されている。溝または孔82a〜fにおいて、生体高分子の結晶が成長する。

請求項（抜粋）：

溶液中に含まれる高分子化合物の結晶を成長させる方法であって、前記高分子化合物を含む前記溶液の環境に応じて表面部分の正孔または電子の濃度を制御できるよう価電子が制御された固体素子を与える工程と、前記固体素子を前記高分子化合物を含む前記溶液に接触させる工程とを備え、前記固体素子は、対向する2つの主要面の一方の面側に形成された深さおよび/または開口部の幅が異なる2つ以上の溝または孔と、前記2つの主要面の他方の面側から前記溝または孔に前記高分子化合物を含む溶液を供給するための貫通孔とを有し、前記溶液と接触する前記固体素子の部分において、前記溝または孔の外よりも内で前記高分子化合物の結晶化が促進されるよう前記価電子が制御されており、下向きにした前記溝または孔に前記貫通孔を介して前記高分子化合物を含む溶液を供給することにより、前記固体素子上において前記溶液の液滴が重力の方向に垂れ下がった状態で前記溶液を前記溝または孔に保持させ、かつ前記溶液を保持する前記溝または孔において、前記制御された価電子により前記固体素子の表面にもたらされる電気的状態の下、前記高分子化合物の結晶を成長させることを特徴とする、結晶成長方法。

IPC (11件)：

C30B 29/58 ,  B01D 9/02 601 ,  B01D 9/02 602 ,  B01D 9/02 603 ,  B01D 9/02 604 ,  B01D 9/02 605 ,  B01D 9/02 620 ,  B01D 9/02 625 ,  B01D 9/02 ,  C30B 7/00 ,  C30B 30/02

FI (11件)：

C30B 29/58 ,  B01D 9/02 601 L ,  B01D 9/02 602 Z ,  B01D 9/02 603 Z ,  B01D 9/02 604 ,  B01D 9/02 605 ,  B01D 9/02 620 ,  B01D 9/02 625 E ,  B01D 9/02 625 Z ,  C30B 7/00 ,  C30B 30/02