特許
J-GLOBAL ID：200903000945294740
半導体基板の識別方法及びその半導体基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-028225
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233389
出願日： 1998年02月10日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 ウエハ表面の印字が見えなくても、一目でウエハの識別を行うことができる半導体基板の識別方法及びその半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 Siウエハ3には、その原点を示す第1のノッチ1と、その第1のノッチ1の180°反対方向に、第2のノッチ2を設けることにより、Siウエハ3を識別するようにしている。その第2のノッチ2は第1のノッチ1に比べてSiウエハ3の方向を揃える際に検出しない程度の大きさにする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の識別方法において、半導体基板の周辺に第1のノッチと、該第1のノッチとを基準として前記半導体基板の周辺に第2のノッチを形成して、半導体基板の識別を行うことを特徴とする半導体基板の識別方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 A
, H01L 21/68 M
